نسل جدیدی از تراشه‌های کامپیوتری که بر اساس شبکه عصبی مغز مدل‌سازی شده‌اند، به لطف یک ماده جدید توسعه‌یافته، می‌توانند تا پایان این دهه تولید شوند. این اولین ترانزیستور الکتروشیمیایی 3 ترمینالی است که از مواد دو بعدی ساخته شده است.
دانشمندان موسسه فناوری سلطنتی KTH در استکهلم و دانشگاه استنفورد دریافتند که اجزای حافظه ساخته شده از ترکیب کاربید تیتانیوم به نام MXene "پتانسیل عالی برای تکمیل فناوری ترانزیستور کلاسیک" دارند. حافظه دسترسی تصادفی الکتروشیمیایی یا ECRAM مانند یک سلول سیناپسی در یک شبکه مصنوعی عمل می کند و یک ذخیره سازی جهانی برای ذخیره سازی و پردازش داده ها فراهم می کند. مکس حامدی، دانشیار KTH و نویسنده اصلی، در بیانیه ای گفت: «این رایانه های جدید بر اجزایی متکی خواهند بود که می توانند چندین حالت داشته باشند و محاسبات را در حافظه انجام دهند.
یافته‌های منتشر شده در مجله Advanced Functional Materials نشان می‌دهد که MXene می‌تواند نقشی اساسی در توسعه رایانه‌های نورومورفیک ایفا کند که به مغز انسان نزدیک‌تر هستند و هزاران برابر بیشتر از رایانه‌های سنتی امروزی کارآمدتر هستند.
مکس حامدی در بیانیه‌ای به TechRadar Pro تأیید کرد که این فناوری از فرآیندهای مشابه ویفرهای CMOS استفاده می‌کند و لایه‌هایی از مواد دو بعدی را روی سیلیکون ادغام می‌کند. ما شاهد سرعت نوشتن هستیم که 2 برابر سریعتر از هر ECRAM دیگری است که نشان داده شده است. این بدان معناست که اگر ECRAM های دوبعدی را به مقیاس نانو مقیاس کنیم، می توانند به سرعت ترانزیستورهای رایانه های مدرن (زیر نانوثانیه) باشند، به این معنی که می توانند با استفاده از فناوری CMOS در رایانه های مدرن ما ساخته شوند (به دلیل سازگاری مواد فلزی دو بعدی). ترانزیستور با فناوری CMOS fab).
ما قادر خواهیم بود واحدهای رایانه‌ای با هدف ویژه (مثلاً در 5 تا 10 سال آینده) بسازیم که در آن حافظه و ترانزیستورها با هم ترکیب می‌شوند و آنها را حداقل 1000 برابر انرژی کمتری نسبت به بهترین رایانه‌هایی که امروز برای مشکلات هوش مصنوعی و مدل‌سازی داریم (برخی محاسبات حتی بازده انرژی 1 میلیون برابر را برای الگوریتم های خاص نشان می دهد).
احتمالاً می‌توان انتظار داشت اولین محصول تجاری قبل از پایان دهه ظاهر شود، زیرا استراتژی ورود به بازار حداقل به پنج سال آزمایش نیاز دارد.
همچنین بخوانید: