میکرون اولین دستگاه حافظه 3 لایه 232 بعدی NAND صنعت را معرفی کرد. این شرکت قصد دارد از محصولات جدید 232 لایه 3D NAND خود برای انواع دستگاه ها از جمله درایوهای حالت جامد استفاده کند و قصد دارد تا اواخر سال 2022 تولید چنین تراشه هایی را افزایش دهد.
دستگاه 232 لایه 3D NAND میکرون دارای معماری سه بعدی TLC است و ظرفیت ذخیره سازی مستقیم 3 ترابایت (1 گیگابایت) دارد. این تراشه مبتنی بر معماری CMOS تحت آرایه (CuA) میکرون است و از روش انباشته ردیف NAND برای ساخت دو آرایه NAND سه بعدی بر روی یکدیگر استفاده می کند.
طراحی CuA، همراه با NAND 232 لایه، اندازه تراشه حافظه 3 ترابایتی 1D TLC NAND Micron را به میزان قابل توجهی کاهش می دهد، که وعده کاهش هزینه های تولید را می دهد و به Micron اجازه می دهد دستگاه ها را با این تراشه ها قیمت گذاری تهاجمی تری داشته باشد یا به سادگی حاشیه های آن را افزایش دهد.
Micron سرعت ورودی/خروجی یا تعداد هواپیماهای موجود در IC 232L 3D TLC NAND جدید خود را اعلام نکرده است، اما اشاره کرده است که حافظه جدید عملکرد بالاتری در مقایسه با دستگاه های NAND 3D موجود ارائه می دهد که به ویژه برای نسل بعدی مفید خواهد بود. درایوهای حالت جامد با رابط PCIe 5.0
در مورد درایوهای حالت جامد، Scott DeBoer، معاون اجرایی فناوری و محصولات Micron، گفت که این شرکت از نزدیک با توسعه دهندگان کنترلر NAND اختصاصی و شخص ثالث برای اطمینان از پشتیبانی مناسب از نوع جدید حافظه همکاری کرده است.
از دیگر مزایای 232 لایه 3D TLC NAND خود، Micron به مصرف انرژی در مقایسه با گره های نسل قبلی اشاره کرد که با توجه به تمرکز تاریخی Micron بر روی برنامه های تلفن همراه و روابط با سازندگان دستگاه های مرتبط، مزیت دیگری خواهد بود.
با توجه به اینکه Micron در اواخر سال 232 تولید دستگاه های 3 لایه 2022D TLC NAND را آغاز خواهد کرد، می توان انتظار داشت که SSD ها با حافظه جدید در سال 2023 ظاهر شوند.
شما می توانید به اوکراین در مبارزه با مهاجمان روسی کمک کنید. بهترین راه برای انجام این کار، کمک مالی به نیروهای مسلح اوکراین است Savelife یا از طریق صفحه رسمی NBU.
همچنین بخوانید:
- در اوکراین، روند دریافت گواهینامه رانندگی ساده شده است
- IBM اعلام کرده است که قصد دارد یک پردازنده کوانتومی 4000 کیوبیتی ایجاد کند