شرکت فناوری میکرون آغاز تحویل اولین فلش مموری ۱۷۶ لایه جهان را اعلام کرد 3D NAND. به گفته سازنده، استفاده از معماری پیشرفته امکان ایجاد "دستیابی به موفقیت رادیکال" را فراهم کرد و نه تنها تراکم ذخیره سازی، بلکه عملکرد را نیز به طور قابل توجهی افزایش داد. این حافظه جدید برنامه هایی را در فضای ذخیره سازی برای مراکز داده، تجهیزات جانبی هوشمند و دستگاه های تلفن همراه پیدا می کند.
این نوآوری پنجمین نسل از NAND سه بعدی و در نسل دوم معماری RG (دروازه جایگزین) است که از نظر فناوری پیشرفته ترین در میان پیشرفت های موجود در بازار است. در مقایسه با نسل قبلی NAND سه بعدی تولید شده توسط Micron، تاخیر خواندن و نوشتن بیش از 3٪ کاهش یافته است. مزیت دیگر طراحی جمع و جور است – قالب حافظه 3 لایه تقریباً 35 درصد کوچکتر از بهترین رقبای کلاس خود است، و این حافظه جدید را برای برنامه هایی ایده آل می کند که یک فرم کوچک مهم است.
نسل پنجم 3D NAND Micron همچنین دارای نرخ انتقال داده پیشرو در صنعت 1600 میلیون انتقال در ثانیه (MT/s) از طریق گذرگاه Open NAND Flash Interface (ONFI) است که 33 درصد سریعتر از 1200 MT / ثانیه است. حافظه های 96 لایه و 128 لایه 3 بعدی NAND Micron نسل های قبلی.
Micron در حال همکاری با نمایندگان صنعت برای تسریع پذیرش حافظه جدید است. حافظه 176 لایه سه بعدی NAND سه بعدی Micron در کارخانه Micron در سنگاپور تولید می شود و اکنون در دسترس مشتریان است، از جمله از طریق خط درایوهای حالت جامد مصرفی Crucial. این شرکت محصولات جدید دیگری را بر اساس این فناوری در طول سال تقویم 3 معرفی خواهد کرد.
همچنین بخوانید:
- Sony پروژه جدید هواپیمای بدون سرنشین Airpeak را اعلام کرد
- فروش استیدکام موبایل - FeiyuTech AK2000С در اوکراین آغاز شده است