 для авіації і космосу.){kind=link}
راه اندازی تراشه های حافظه گسسته 1 گیگابیت (128 مگابایت) STT-MRAM برای کاربردهای هوافضا به تازگی اعلام شده است. این حافظه مغناطیسی چند برابر متراکم‌تر از حافظه‌ای است که قبلاً ارائه شد. تراکم واقعی قرارگیری عناصر حافظه STT-MRAM 64 برابر افزایش می یابد، اگر در مورد محصولات شرکت Micross صحبت کنیم که پر کردن الکترونیکی فوق العاده قابل اعتماد برای صنایع هوافضا و دفاعی تولید می کند.
تراشه های STT-MRAM Micross مبتنی بر فناوری شرکت آمریکایی Avalanche Technology هستند. Avalanche در سال 2006 توسط پیتر استخری، بومی Lexar و Cirrus Logic تأسیس شد. علاوه بر بهمن، Everspin و Samsung. اولی با همکاری GlobalFoundries کار می کند و بر انتشار STT-MRAM تعبیه شده و گسسته با استانداردهای فناوری 22 نانومتر تمرکز دارد و دومی (Samsung) در حالی که STT-MRAM را در قالب بلوک های 28 نانومتری ساخته شده در کنترلرها آزاد می کند. به هر حال، یک بلوک STT-MRAM با ظرفیت 1 گیگابایت، Samsung تقریباً سه سال پیش ارائه شد.
شایستگی Micross را می توان انتشار STT-MRAM 1 گیگابیتی گسسته در نظر گرفت که استفاده از آن در الکترونیک به جای NAND-flash آسان است. حافظه STT-MRAM در محدوده دمایی بزرگتر (از -40 درجه سانتیگراد تا 125 درجه سانتیگراد) با تعداد تقریباً بی نهایت چرخه بازنویسی کار می کند. از تشعشعات و تغییرات دما نمی ترسد و می تواند داده ها را تا 10 سال در سلول ها ذخیره کند، البته به سرعت خواندن و نوشتن بالاتر و مصرف انرژی کمتر اشاره نمی کند.
به یاد بیاورید که حافظه STT-MRAM داده ها را در سلول ها به شکل مغناطیسی ذخیره می کند. این اثر در سال 1974 در طول توسعه هارد دیسک ها در IBM کشف شد. به طور دقیق تر، سپس اثر مغناطیسی مقاومتی کشف شد که اساس فناوری MRAM بود. خیلی بعد، پیشنهاد شد که مغناطش لایه حافظه را با استفاده از اثر انتقال اسپین الکترون (لمان مغناطیسی) تغییر دهیم. بدین ترتیب، مخفف STT به نام MRAM اضافه شد. جهت اسپینترونیک در الکترونیک مبتنی بر انتقال اسپین است که مصرف تراشه ها را به دلیل جریان های بسیار کم در فرآیند تا حد زیادی کاهش می دهد.
همچنین بخوانید: