TSMC یکی از بازیگران اصلی در تولید تراشه است. فرآیند تولید این سازنده تایوانی یکی از پیشرفته ترین ها در جهان است. بر اساس اطلاعات موجود، TSMC تولید آزمایشی فرآیند فنی 3 نانومتری را آغاز کرده است. همچنین گزارش شده است که تولید انبوه این تراشه در سه ماهه چهارم سال آینده آغاز خواهد شد.
وی ژجیا، مدیر عامل TSMC در طی یک تماس سه ماهه اخیر گفت که تولید آزمایشی فرآیند 3 نانومتری در سال 2021 و تولید انبوه در نیمه دوم سال 2022 آغاز خواهد شد.
اگر اطلاعات افشا شده توسط کارشناسان شبکه صنعت درست باشد، وی ژجیا ممکن است جزئیات بیشتری را در مورد این تراشه در یک کنفرانس تلفنی برای تحلیلگران مالی در ژانویه آینده فاش کند. در گزارش درآمد و زیان سه ماهه دوم منتشر شده در جولای امسال، وی ژجیا گفت که در سه ماهه سوم، فرآیند 4 نانومتری در حال تولید آزمایشی است.
TSMC در وب سایت رسمی خود اعلام کرده است که فرآیند 3 نانومتری، طیف کامل گره های فرآیند بعد از 5 نانومتر است. برای ریزمدارهای فرآیند تکنولوژیکی 3 نانومتر، چگالی نظری ترانزیستورها در مقایسه با 70 نانومتر 5 درصد افزایش می یابد. علاوه بر این، سرعت عملیات 15٪ و بهره وری انرژی - 30٪ افزایش می یابد.
Samsung - رقیب اصلی TSMC در زمینه تولید ریزتراشه. این شرکت کره جنوبی گره های 3GAE (3nm Gate-All-Around Early) و 3GAP (3nm Gate-All-Around Plus) را چند سال پیش معرفی کرد. این فرآیندها وعده صرفه جویی قابل توجهی در انرژی و افزایش بهره وری کلی را می دهند. این شرکت با ارائه این فناوری ادعا می کند که فرآیند 3 نانومتری باعث افزایش 35 درصدی عملکرد خواهد شد. همچنین کاهش 50 درصدی مصرف انرژی را در مقایسه با فرآیند 7LPP فراهم می کند.
بر اساس گزارش های اخیر، Samsung تولید آزمایشی فرآیند 3 نانومتری خود را زودتر از سال 2022 آغاز خواهد کرد. این شرکت همچنین قصد دارد تراشه های 2 نانومتری را عرضه کند، اما نه قبل از سال 2025. به تعویق انداختن معرفی فرآیند جدید فناوری با این واقعیت مرتبط است که سازندگان ریز مدارها با وظیفه مهم تری روبرو هستند - مقابله با کمبود آنها. اولویت ها برآوردن تقاضا برای پردازنده ها و عدم عجله در معرفی فناوری های جدید است.
همچنین بخوانید:
- Sony و TSMC در حال بحث در مورد مشارکت تولید تراشه در ژاپن هستند
- قیمت گوشی های هوشمند افزایش می یابد - TSMC هزینه تراشه ها را افزایش می دهد