به گفته منبع، TSMC، بزرگترین تولید کننده قراردادی محصولات نیمه هادی، ساخت یک مجتمع تولیدی را آغاز کرده است که در آن برنامه ریزی شده است تا بر فرآیند فنی 2 نانومتری تسلط یابد. این مجموعه شامل یک مرکز تحقیق و توسعه و یک مرکز تولید است. تاسیسات جدید در نزدیکی دفتر مرکزی شرکت در پارک علمی Hsinchu، تایوان قرار خواهد گرفت.
طبق داده های اولیه، فناوری Gate-All-Around (GAA) در فرآیند 2 نانومتری مورد استفاده قرار خواهد گرفت. در همان زمان، سازنده شروع به برنامه ریزی برای توسعه یک فرآیند فنی 1 نانومتری کرد.
این شرکت در کنار فناوری‌های تولید کریستال، فناوری‌های بسته‌بندی خود را بهبود می‌بخشد. این شرکت قصد دارد پذیرش فناوری های بسته بندی پیشرفته مانند SoIC، InFO، CoWoS و WoW را تسریع بخشد. همه آنها توسط TSMC به عنوان 3D Fabric طبقه بندی می شوند، اگرچه برخی از آنها به 2.5D اشاره می کنند. این فناوری ها در نیمه دوم سال 2021 در خطوط ZhuNan و NanKe به تولید انبوه خواهند رسید.
همچنین بخوانید: